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SI4463BDY-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 20V 9.8 A (Ta) 1.5W (Ta) 8-SO
Precio y compra
22,742 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 $1.40
10 1.25600 $12.56
25 1.19160 $29.79
100 0.89380 $89.38
500 0.75756 $378.78
1,000 0.61712 $617.12
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4463BDY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 22,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.60861
  • Digi-Reel®  : SI4463BDY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,742 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4463BDY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4463BDY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4463BDY-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 9.8 A (Ta) 1.5W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 13.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Número de pieza base SI4463
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4463BDY-T1-E3CT