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SI4459ADY-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 29 A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 8-SO
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100 1.22520 $122.52
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4459ADY-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 29 A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4459ADY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 195nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6000pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4459ADY-T1-GE3CT
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21:21:19 4/20/2019