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SI4434DY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 250V 2.1 A (Ta) 1.56W (Ta) 8-SO
Precio y compra
15,828 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.42000 $2.42
10 2.17800 $21.78
100 1.60240 $160.24
500 1.35586 $677.93
1,000 1.15042 $1,150.42
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4434DY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 15,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.10096
  • Digi-Reel®  : SI4434DY-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 15,828 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4434DY-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4434DY-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4434DY-T1-E3
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Descripción MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 2.1 A (Ta) 1.56W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.56W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4434DY-T1-E3CT