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SI4431CDY-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 9 A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.52800 $5.28
25 0.49600 $12.40
100 0.36000 $36.00
250 0.34720 $86.80
500 0.30080 $150.40
1,000 0.25600 $256.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI4431CDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 22,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.24000
  • Digi-Reel®  : SI4431CDY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,690 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI4431CDY-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI4431CDY-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 9 A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1006pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Número de pieza base SI4431
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI4431CDY-T1-GE3CT