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SI4425BDY-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 30V 8.8 A (Ta) 1.5 W (Ta) 8-SO
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1 1.22000 $1.22
10 1.07700 $10.77
100 0.85140 $85.14
500 0.66024 $330.12
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4425BDY-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 38,251
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4425BDY-T1-E3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 8.8 A (Ta) 1.5 W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4425BDY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 11.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4425BDY-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 38,251 - Inmediata
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18:43:15 11/12/2018