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SI4423DY-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 20V 10 A (Ta) 1.5 W (Ta) 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.62000 $2.62
10 2.36500 $23.65
100 1.90070 $190.07
500 1.47834 $739.17
1,000 1.22491 $1,224.91
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4423DY-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 3,637
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4423DY-T1-E3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 10 A (Ta) 1.5 W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4423DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 14 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 900 mV a 600 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 175nC @ 5V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4423DY-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4423DY-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
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12:26:28 11/19/2018