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SI4401DDY-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 40V 16.1 A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 8-SO
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1 1.02000 $1.02
10 0.89500 $8.95
100 0.69570 $69.57
500 0.52118 $260.59
1,000 0.42148 $421.48
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 7,103
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4401DDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 16.1 A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4401DDY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15mOhm a 10.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3007pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4401DDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4401DDY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,103 - Inmediata
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05:36:34 4/22/2019