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SI4386DY-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 30V 11 A (Ta) 1.47 W (Ta) 8-SO
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4386DY-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 7,548
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4386DY-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 11 A (Ta) 1.47 W (Ta) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos Si4386DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.47 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4386DY-T1-E3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.38000 $1.38
10 1.22000 $12.20
100 0.96410 $96.41
500 0.74764 $373.82
1,000 0.59024 $590.24
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4386DY-T1-E3TR-ND
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