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SI4288DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40V 9.2 A 3.1W Montaje en superficie 8-SO
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4288DY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4288DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40V 9.2 A 3.1W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4288DY
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 580pF a 20V
Potencia máxima 3.1W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4288DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,923 - Inmediata
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03:09:00 4/25/2019