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SI4286DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40 V 7 A 2.9 W Montaje en superficie 8-SO
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1 1.23000 $1.23
10 1.08900 $10.89
100 0.86050 $86.05
500 0.66734 $333.67
1,000 0.52685 $526.85
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4286DY-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 2,476
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4286DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 40 V 7 A 2.9 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos Si4286DY
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32.5 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 375pF a 20V
Potencia máxima 2.9 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4286
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4286DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4286DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.47740

11:48:43 12/13/2018