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SI4214DDY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 8.5 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4214DDY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4214DDY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 8.5 A 3.1 W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4214DDY
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.5 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19.5 mOhm a 8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 660 pF a 15 V
Potencia máxima 3.1 W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4214DDY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:21:58 10/18/2018