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SI4204DY-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 19.8 A 3.25W Montaje en superficie 8-SO
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1 2.20000 $2.20
10 1.99800 $19.98
100 1.61780 $161.78
500 1.27232 $636.16
1,000 1.06497 $1,064.97
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4204DY-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 9,523
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4204DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
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Plazo estándar del fabricante 21 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 19.8 A 3.25W Montaje en superficie 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4204DY
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 19.8 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.6 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2110pF a 10 V
Potencia máxima 3.25W
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Número de pieza base SI4204
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4204DY-T1-GE3CT
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23:14:12 2/19/2019