Agregar a favoritos
SI4116DY-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 25V 18 A (Tc) 2.5 W (Ta), 5 W (Tc) 8-SO
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.26000 $1.26
10 1.12000 $11.20
100 0.88520 $88.52
500 0.68650 $343.25
1,000 0.54198 $541.98
Tarifa arancelaria pendiente ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4116DY-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI4116DY-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 12,279
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI4116DY-T1-GE3

Copiar   SI4116DY-T1-GE3
Descripción MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
Copiar   MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 25V 18 A (Tc) 2.5 W (Ta), 5 W (Tc) 8-SO

Copiar   Canal N Montaje en superficie 25V 18 A (Tc) 2.5 W (Ta), 5 W (Tc) 8-SO
Documentos y medios
Hojas de datos SI4116DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1925pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI4116DY-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI4116DY-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI4116DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  • Precio unitario $1.43000
  • SI4116DY-T1-E3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4116DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4116DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.49111
  • Digi-Reel® ? : SI4116DY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,279 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:10:46 10/20/2018