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SI4062DY-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 32.1 A (Tc) 7.8 W (Tc) 8-SO
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.75000 $1.75
10 1.58500 $15.85
100 1.27340 $127.34
500 0.99040 $495.20
1,000 0.82061 $820.61
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4062DY-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI4062DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 32.1 A (Tc) 7.8 W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos SI4062DY
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.2 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3175pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 7.8 W (Tc)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $0.75000
  • TSM120N06LCSRLGCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4062DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI4062DY-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.76923
  • Digi-Reel® ? : SI4062DY-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,342 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

12:06:45 11/14/2018