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SI4056DY-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 11.1 A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 8-SO
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1 1.06000 $1.06
10 0.93600 $9.36
100 0.72730 $72.73
500 0.54488 $272.44
1,000 0.44063 $440.63
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI4056DY-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI4056DY-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 11.1 A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 8-SO

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Documentos y medios
Hojas de datos Si4056DY
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 900pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI4056DY-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
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07:18:30 4/21/2019