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SI3900DV-T1-E3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 2 A 830 mW Montaje en superficie 6-TSOP
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3900DV-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 16,177
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3900DV-T1-E3

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 2 A 830 mW Montaje en superficie 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3900DV
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 2.4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 830 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Número de pieza base SI3900
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3900DV-T1-E3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.78000 $0.78
10 0.68100 $6.81
100 0.52510 $52.51
500 0.38892 $194.46
1,000 0.31114 $311.14
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3900DV-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : SI3900DV-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16,177 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:24:35 9/24/2018