Agregar a favoritos
SI3493BDV-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 20V 8 A (Tc) 2.08 W (Ta), 2.97 W (Tc) 6-TSOP
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.87000 $0.87
10 0.76200 $7.62
100 0.58800 $58.80
500 0.43554 $217.77
1,000 0.34843 $348.43
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3493BDV-T1-E3CT-ND
Copiar   SI3493BDV-T1-E3CT-ND
Cantidad disponible 11,146
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI3493BDV-T1-E3

Copiar   SI3493BDV-T1-E3
Descripción MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Copiar   MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 8 A (Tc) 2.08 W (Ta), 2.97 W (Tc) 6-TSOP

Copiar   Canal P Montaje en superficie 20V 8 A (Tc) 2.08 W (Ta), 2.97 W (Tc) 6-TSOP
Documentos y medios
Hojas de datos SI3493BDV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27.5 mOhm a 7 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 900 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1805pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.08 W (Ta), 2.97 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI3493BDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI3493BDV-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI3493BDV-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Precio unitario $0.87000
  • SI3493BDV-T1-GE3CT-ND
  • SI3429EDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI3429EDV-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI3429EDV-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
  • Precio unitario $0.57000
  • SI3429EDV-T1-GE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3493BDV-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3493BDV-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 9,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30656
  • Digi-Reel® ? : SI3493BDV-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,146 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

12:24:52 12/16/2018