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SI3483CDV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.96000 $0.96
10 0.85600 $8.56
25 0.81200 $20.30
100 0.60900 $60.90
500 0.51620 $258.10
1,000 0.42050 $420.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI3483CDV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 339,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.41470
  • Digi-Reel®  : SI3483CDV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 339,136 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI3483CDV-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI3483CDV-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP

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Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 6.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1000pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de pieza base SI3483
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI3483CDV-T1-GE3CT