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SI3473CDV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 12V 8 A (Tc) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc) 6-TSOP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3473CDV-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 8 A (Tc) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3473CDV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 22 mOhm a 8.1 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2010pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
  • Precio unitario $0.61000
  • SI3473DDV-T1-GE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3473CDV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3473CDV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.28710
  • Digi-Reel® ? : SI3473CDV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,845 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:44:59 11/14/2018