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SI3443DDV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 4 A (Ta), 5.3 A (Tc) 1.7 W (Ta), 2.7 W (Tc) 6-TSOP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3443DDV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3443DDV-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 4 A (Ta), 5.3 A (Tc) 1.7 W (Ta), 2.7 W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3443DDV
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Ta), 5.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 47 mOhm a 4.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 8V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 970pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.7 W (Ta), 2.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3443DDV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3443DDV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 7,297 - Inmediata
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19:04:28 2/19/2019