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SI3440DV-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 150V 1.2 A (Ta) 1.14W (Ta) 6-TSOP
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1 1.62000 $1.62
10 1.44200 $14.42
100 1.14840 $114.84
500 0.89980 $449.90
1,000 0.71903 $719.03
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3440DV-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 12,102
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3440DV-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
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Plazo estándar del fabricante 49 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 1.2 A (Ta) 1.14W (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3440DV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 375mOhm a 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.14W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3440DV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3440DV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.65420
  • Digi-Reel® ? : SI3440DV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,102 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

05:14:37 4/24/2019