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SI3433CDV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) 6-TSOP
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3433CDV-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38mOhm a 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3433CDV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3433CDV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,396 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:39:52 4/20/2019