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SI3430DV-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 100V 1.8 A (Ta) 1.14 W (Ta) 6-TSOP
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1 1.16000 $1.16
10 1.02600 $10.26
100 0.81110 $81.11
500 0.62902 $314.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3430DV-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3430DV-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 1.8 A (Ta) 1.14 W (Ta) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3430DV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170 mOhm a 2.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.14 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
  • Precio unitario $1.16000
  • SI3430DV-T1-GE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3430DV-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3430DV-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.44999
  • Digi-Reel® ? : SI3430DV-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

21:32:59 12/14/2018