Agregar a favoritos
SI3410DV-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) 6-TSOP
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.97000 $0.97
10 0.85500 $8.55
100 0.66400 $66.40
500 0.49750 $248.75
1,000 0.40232 $402.32
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3410DV-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI3410DV-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 54,973
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI3410DV-T1-GE3

Copiar   SI3410DV-T1-GE3
Descripción MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Copiar   MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) 6-TSOP

Copiar   Canal N Montaje en superficie 30V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) 6-TSOP
Documentos y medios
Hojas de datos SI3410DV
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 19.5mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1295pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • BLM21SN300SN1D - Murata Electronics North America | 490-13266-1-ND DigiKey Electronics
  • BLM21SN300SN1D
  • Murata Electronics North America
  • FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN
  • Precio unitario $0.18000
  • 490-13266-1-ND
  • FDC655BN - ON Semiconductor | FDC655BNCT-ND DigiKey Electronics
  • FDC655BN
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
  • Precio unitario $0.53000
  • FDC655BNCT-ND
  • FDC8878 - ON Semiconductor | FDC8878CT-ND DigiKey Electronics
  • FDC8878
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT
  • Precio unitario $0.68000
  • FDC8878CT-ND
  • LTC4011CFE#PBF - Linear Technology/Analog Devices | LTC4011CFE#PBF-ND DigiKey Electronics
  • LTC4011CFE#PBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC BATT CHARGER HIEFF 20TSSOP
  • Precio unitario $11.14000
  • LTC4011CFE#PBF-ND
  • IRFTS8342TRPBF - Infineon Technologies | IRFTS8342TRPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IRFTS8342TRPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
  • Precio unitario $0.56000
  • IRFTS8342TRPBFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3410DV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI3410DV-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 54,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35595
  • Digi-Reel® ? : SI3410DV-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 54,973 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

07:22:12 4/21/2019