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SI3127DV-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 60V 3.5 A (Ta), 13 A (Tc) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc) 6-TSOP
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10 0.47100 $4.71
100 0.35350 $35.35
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI3127DV-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI3127DV-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 3.5 A (Ta), 13 A (Tc) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc) 6-TSOP

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Documentos y medios
Hojas de datos SI3127DV
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.5 A (Ta), 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 89 mOhm a 1.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 833pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta), 4.2 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI3127DV-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
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03:05:23 12/16/2018