Agregar a favoritos
SI2377EDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 4.4 A (Tc) 1.25 W (Ta), 1.8 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.51000 $0.51
10 0.43100 $4.31
100 0.32290 $32.29
500 0.23680 $118.40
1,000 0.18298 $182.98
Tarifa aduanera elegible ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 109,727
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI2377EDS-T1-GE3

Copiar   SI2377EDS-T1-GE3
Descripción MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
Copiar   MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 4.4 A (Tc) 1.25 W (Ta), 1.8 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

Copiar   Canal P Montaje en superficie 20V 4.4 A (Tc) 1.25 W (Ta), 1.8 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Documentos y medios
Hojas de datos SI2377EDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 61 mOhm a 3.2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta), 1.8 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI2319CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI2319CDS-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2319CDS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
  • Precio unitario $0.67000
  • SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
  • BLM21PG221SN1D - Murata Electronics North America | 490-1054-1-ND DigiKey Electronics
  • BLM21PG221SN1D
  • Murata Electronics North America
  • FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN
  • Precio unitario $0.10000
  • 490-1054-1-ND
  • SI2371EDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI2371EDS-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2371EDS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
  • Precio unitario $0.54000
  • SI2371EDS-T1-GE3CT-ND
  • DMG2305UX-13 - Diodes Incorporated | DMG2305UX-13DICT-ND DigiKey Electronics
  • DMG2305UX-13
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
  • Precio unitario $0.45000
  • DMG2305UX-13DICT-ND
  • SSM3J130TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage | SSM3J130TULFCT-ND DigiKey Electronics
  • SSM3J130TU,LF
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
  • Precio unitario $0.49000
  • SSM3J130TULFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2377EDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2377EDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 108,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.16198
  • Digi-Reel® ? : SI2377EDS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 109,727 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:34:35 1/24/2019