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SI2369DS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 7.6 A (Tc) 1.25 W (Ta), 2.5 W (Tc) TO-236
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2369DS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2369DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
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Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 7.6 A (Tc) 1.25 W (Ta), 2.5 W (Tc) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2369DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29 mOhm a 5.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1295pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta), 2.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2369DS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2369DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 84,000 - Inmediata
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21:44:58 1/19/2019