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SI2365EDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc) TO-236
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10 0.35900 $3.59
100 0.23580 $23.58
500 0.13934 $69.67
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SI2365EDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2365EDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2365EDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
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  • Cantidad disponible: 34 - Inmediata
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19:05:43 11/12/2018