Agregar a favoritos
SI2365EDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc) TO-236
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
Copiar   SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 387
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SI2365EDS-T1-GE3

Copiar   SI2365EDS-T1-GE3
Descripción MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Copiar   MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc) TO-236

Copiar   Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc) TO-236
Documentos y medios
Hojas de datos SI2365EDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta), 1.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • SI2312BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI2312BDS-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI2312BDS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  • Precio unitario $0.55000
  • SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
  • DMG2305UX-13 - Diodes Incorporated | DMG2305UX-13DICT-ND DigiKey Electronics
  • DMG2305UX-13
  • Diodes Incorporated
  • MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
  • Precio unitario $0.46000
  • DMG2305UX-13DICT-ND
  • G2R-24-AC120 - Omron Electronics Inc-EMC Div | Z846-ND DigiKey Electronics
  • G2R-24-AC120
  • Omron Electronics Inc-EMC Div
  • RELAY GEN PURPOSE DPDT 4A 120V
  • Precio unitario $11.18000
  • Z846-ND
  • B2B-PH-K-S(LF)(SN) - JST Sales America Inc. | 455-1704-ND DigiKey Electronics
  • B2B-PH-K-S(LF)(SN)
  • JST Sales America Inc.
  • CONN HEADER PH TOP 2POS 2MM
  • Precio unitario $0.17000
  • 455-1704-ND
  • IRLML6244TRPBF - Infineon Technologies | IRLML6244TRPBFCT-ND DigiKey Electronics
  • IRLML6244TRPBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
  • Precio unitario $0.56000
  • IRLML6244TRPBFCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2365EDS-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.53000 $0.53
10 0.37500 $3.75
100 0.24650 $24.65
500 0.14568 $72.84
1,000 0.11206 $112.06
Tarifa arancelaria pendiente ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.09791
  • Digi-Reel® ? : SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 387 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

04:04:50 9/23/2018