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SI2365EDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) TO-236
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 $0.38
10 0.28900 $2.89
25 0.26000 $6.50
100 0.13720 $13.72
250 0.13576 $33.94
500 0.12156 $60.78
1,000 0.09460 $94.60
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 78,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.08656
  • Digi-Reel®  : SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 80,147 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2365EDS-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2365EDS-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 5.9 A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2365EDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
Hoja de datos de HTML SI2365EDS
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2365
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2365EDS-T1-GE3CT