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SI2356DS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 40V 4.3 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) TO-236
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10 0.39000 $3.90
100 0.26930 $26.93
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2356DS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2356DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 4.3 A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2356DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Hoja de datos de HTML SI2356DS
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 51mOhm a 3.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 370pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • 945-2019-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2356DS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2356DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 108,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12677
  • Digi-Reel® ? : SI2356DS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 108,433 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

21:33:53 4/21/2019