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SI2347DS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 5 A (Tc) 1.7W (Tc) SOT-23-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.41000 $0.41
10 0.30500 $3.05
25 0.27520 $6.88
100 0.14500 $14.50
500 0.12850 $64.25
1,000 0.10000 $100.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2347DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09150
  • Digi-Reel®  : SI2347DS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19,493 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2347DS-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2347DS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2347DS-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 5 A (Tc) 1.7W (Tc) SOT-23-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2347DS-T1-GE3
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Archivo de video
Hoja de datos de HTML SI2347DS-T1-GE3
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 705pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2347
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2347DS-T1-GE3CT