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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2347DS-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 13,338
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI2347DS-T1-GE3

Descripción MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Plazo estándar del fabricante 32 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 5 A (Tc) 1.7 W (Tc) SOT-23-3

Documentos y medios
Hojas de datos SI2347DS-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 42 mOhm a 3.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 705pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.7 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2347DS-T1-GE3CT

03:27:59 8/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.56000 $0.56
10 0.39700 $3.97
100 0.26060 $26.06
500 0.15398 $76.99
1,000 0.11845 $118.45

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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