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SI2342DS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 8V 6 A (Tc) 2.5W (Tc) SOT-23
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1 0.60000 $0.60
10 0.51000 $5.10
100 0.38520 $38.52
500 0.28552 $142.76
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2342DS-T1-GE3DKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2342DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 8V 6 A (Tc) 2.5W (Tc) SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2342DS-T1-GE3
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17mOhm a 7.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1070pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2342DS-T1-GE3DKR
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2342DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 42,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.19855
  • Cinta cortada (CT) ? : SI2342DS-T1-GE3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 44,792 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.60000

14:20:07 5/20/2019