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SI2337DS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 80V 2.2 A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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10 1.04900 $10.49
100 0.83490 $83.49
500 0.65416 $327.08
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2337DS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2337DS-T1-E3

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Descripción MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 80V 2.2 A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270mOhm a 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 500pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2337DS-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
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21:44:49 4/24/2019