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SI2333DS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 12V 4.1 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.65000 $0.65
10 0.56800 $5.68
25 0.53400 $13.35
100 0.38750 $38.75
250 0.37368 $93.42
500 0.32374 $161.87
1,000 0.27552 $275.52
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2333DS-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 15,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.25830
  • Digi-Reel®  : SI2333DS-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 17,501 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2333DS-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2333DS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2333DS-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 4.1 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2333
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2333DS-T1-E3CT