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SI2333DS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 12V 4.1 A (Ta) 750 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2333DS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2333DS-T1-E3

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Descripción MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 4.1 A (Ta) 750 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2333DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 5.3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 750 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2333DS-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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