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SI2329DS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 8V 6 A (Tc) 2.5 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2329DS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2329DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 8V 6 A (Tc) 2.5 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2329DS-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 5.3 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 800 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1485pF @ 4V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2329DS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2329DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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03:50:09 11/19/2018