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SI2328DS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 100V 1.15 A (Ta) 730 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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1 0.78000 $0.78
10 0.68300 $6.83
100 0.52680 $52.68
500 0.39022 $195.11
1,000 0.31217 $312.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2328DS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2328DS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 1.15 A (Ta) 730 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2328DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.15 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 730 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2328DS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2328DS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.27466
  • Digi-Reel® ? : SI2328DS-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,956 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

03:24:49 11/14/2018