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SI2325DS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.96000 $0.96
10 0.85600 $8.56
25 0.81200 $20.30
100 0.60900 $60.90
500 0.51620 $258.10
1,000 0.42050 $420.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2325DS-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.41470
  • Digi-Reel®  : SI2325DS-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,047 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2325DS-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2325DS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2325DS-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 530mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2325
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2325DS-T1-E3CT