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SI2325DS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 150V 530 mA (Ta) 750 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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100 0.80500 $80.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2325DS-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 57,507
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2325DS-T1-E3

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Descripción MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Copiar   MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 530 mA (Ta) 750 mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2325DS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 530 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 750 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2325DS-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI2325DS-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 54,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.44660
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 57,507 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:04:00 10/20/2018