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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
Cantidad disponible 117,658
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

SI2312CDS-T1-GE3

Descripción MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 6 A (Tc) 1.25 W (Ta), 2.1 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

Documentos y medios
Hojas de datos SI2312CDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 31.8 mOhm a 5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 865pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta), 2.1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2312CDS-T1-GE3CT

22:27:19 7/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.53000 $0.53
10 0.45000 $4.50
100 0.33760 $33.76
500 0.24756 $123.78
1,000 0.19130 $191.30

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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