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SI2312BDS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 3.9 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 177,881
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2312BDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 87 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 3.9 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 31mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 850mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2312BDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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05:14:27 4/23/2019