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SI2308BDS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 2.3 A (Tc) 1.09 W (Ta), 1.66 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2308BDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 2.3 A (Tc) 1.09 W (Ta), 1.66 W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 156 mOhm a 1.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 190pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.09 W (Ta), 1.66 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2308BDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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