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SI2307CDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 3.5 A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.42700 $4.27
100 0.32290 $32.29
500 0.23932 $119.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2307CDS-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2307CDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 31 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 3.5 A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2307CDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 88mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2307CDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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13:43:44 4/22/2019