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SI2304DDS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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10 0.33900 $3.39
100 0.23070 $23.07
500 0.17304 $86.52
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 25,699
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2304DDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2304DDS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60mOhm a 3.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 235pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2304DDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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