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SI2304BDS-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.35000 $0.35
10 0.28700 $2.87
25 0.26280 $6.57
100 0.16500 $16.50
500 0.15276 $76.38
1,000 0.10387 $103.87
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2304BDS-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09959
  • Cinta cortada (CT)  : SI2304BDS-T1-GE3CT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 65,021 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.35000

SI2304BDS-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2304BDS-T1-GE3DKR-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2304BDS-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 2.6 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Digi-Reel® 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 70mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2304
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
Otros nombres SI2304BDS-T1-GE3DKR