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SI2302CDS-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 20V 2.6 A (Ta) 710mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.43000 $0.43
10 0.32500 $3.25
25 0.29320 $7.33
100 0.15460 $15.46
250 0.15296 $38.24
500 0.13698 $68.49
1,000 0.10660 $106.60
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2302CDS-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 99,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09754
  • Digi-Reel®  : SI2302CDS-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 100,575 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2302CDS-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2302CDS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2302CDS-T1-E3
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Descripción MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 2.6 A (Ta) 710mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI2302CDS
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 57mOhm a 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 850mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 710mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2302
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI2302CDS-T1-E3CT