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SI2301CDS-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 3.1 A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 152,183
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI2301CDS-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 28 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 3.1 A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 112mOhm a 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 405pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI2301CDS-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 150,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 152,183 - Inmediata
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08:04:04 4/20/2019