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SI2301BDS-T1-E3 Canal P Montaje en superficie 20V 2.2 A (Ta) 700mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Precio y compra
39,028 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.35000 $0.35
10 0.28200 $2.82
25 0.25800 $6.45
100 0.16200 $16.20
250 0.16020 $40.05
500 0.15000 $75.00
1,000 0.10200 $102.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI2301BDS-T1-E3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 39,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09780
  • Digi-Reel®  : SI2301BDS-T1-E3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 39,028 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI2301BDS-T1-E3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI2301BDS-T1-E3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI2301BDS-T1-E3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 2.2 A (Ta) 700mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)

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Documentos y medios
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100mOhm a 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 950mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 375pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base SI2301
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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