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SI1902DL-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 660 mA 270 mW Montaje en superficie SC-70-6 (SOT-363)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1902DL-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1902DL-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 20 V 660 mA 270 mW Montaje en superficie SC-70-6 (SOT-363)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1902DL
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 660 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 385 mOhm a 660 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.2 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds -
Potencia máxima 270 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6 (SOT-363)
Número de pieza base SI1902
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1902DL-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1902DL-T1-GE3TR-ND
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11:28:40 12/16/2018