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SI1471DH-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 30V 2.7 A (Tc) 1.5 W (Ta), 2.78 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1471DH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1471DH-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 2.7 A (Tc) 1.5 W (Ta), 2.78 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.6 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 445pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.5 W (Ta), 2.78 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1471DH-T1-GE3CT

20:38:26 10/18/2018