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SI1427EDH-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 2 A (Tc) 1.56 W (Ta), 2.8 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)
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10 0.41100 $4.11
100 0.28480 $28.48
500 0.19756 $98.78
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1427EDH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1427EDH-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 2 A (Tc) 1.56 W (Ta), 2.8 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1427EDH
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 64 mOhm a 3A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.56 W (Ta), 2.8 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1427EDH-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1427EDH-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.13405
  • Digi-Reel® ? : SI1427EDH-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:18:18 3/21/2019