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SI1416EDH-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 3.9 A (Tc) 2.8W (Tc) SOT-363
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1 0.58000 $0.58
10 0.45300 $4.53
100 0.31320 $31.32
500 0.21732 $108.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1416EDH-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.9 A (Tc) 2.8W (Tc) SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1416EDH
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1416EDH-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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02:57:43 4/26/2019