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SI1416EDH-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 3.9 A (Tc) 2.8W (Tc) SOT-363
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36200 $3.62
25 0.33120 $8.28
100 0.20790 $20.79
250 0.20560 $51.40
500 0.19250 $96.25
1,000 0.13090 $130.90
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1416EDH-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12551
  • Digi-Reel®  : SI1416EDH-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 9,165 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1416EDH-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1416EDH-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.9 A (Tc) 2.8W (Tc) SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1416EDH
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 58mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.8W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de pieza base SI1416
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1416EDH-T1-GE3CT