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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.88000 $0.88
10 0.77800 $7.78
25 0.73120 $18.28
100 0.53070 $53.07
250 0.51184 $127.96
500 0.44344 $221.72
1,000 0.37739 $377.39
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1411DH-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.34350
  • Digi-Reel®  : SI1411DH-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,354 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1411DH-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1411DH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1411DH-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 150V 420mA (Ta) 1W (Ta) SOT-363

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1411DH-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 420mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1411DH-T1-GE3CT